日(ri)本(ben) toreck TRIX-150LE/SE X射線發生器(qi)

日本(ben) toreck TRIX-150LE/SE X射線發生器(qi)

X射線，是壹種(zhong)頻率(lv)，波(bo)長(chang)極(ji)短、能(neng)量很大(da)的(de)電磁

波(bo)。

X射線的(de)頻率(lv)和(he)能(neng)量僅次(ci)於伽馬(ma)射線，頻率(lv)範圍(wei)

30PHz~300EHz，對(dui)應波(bo)長(chang)為0.01nm~10nm [12]，能(neng)量為

100eV〜10MeV [13]。

X射線具(ju)有穿透性(xing)，但人(ren)體組織間(jian)有密(mi)度(du)和(he)厚(hou)度(du)的(de)差異

，當(dang)X射線透過人(ren)體不同(tong)組織時(shi)，被(bei)吸收的(de)程(cheng)度(du)不同(tong)，

經過顯(xian)像(xiang)處理後(hou)即(ji)可得到(dao)不(bu)同的(de)影(ying)像(xiang) [1]。

2023年(nian)，科(ke)學(xue)家(jia)拍(pai)攝(she)到了單(dan)原(yuan)子(zi)X射線信號(hao)

撞(zhuang)擊過程中(zhong)，電子突然(ran)減(jian)速，其(qi)損(sun)失的(de)動(dong)能(neng)會(hui)以光子形(xing)

式(shi)放(fang)出，形(xing)成(cheng)X光光(guang)譜(pu)的(de)連續(xu)部分，稱(cheng)之為軔致輻(fu)射。

通過加(jia)大(da)加(jia)速(su)電壓(ya)，電子攜帶(dai)的(de)能(neng)量增大(da)，則(ze)有可能(neng)將

金(jin)屬(shu)原(yuan)子(zi)的(de)內(nei)層電子撞(zhuang)出。於是內層形(xing)成(cheng)空(kong)穴，外層電

子躍遷回(hui)內層*空(kong)穴，同(tong)時(shi)放(fang)出波(bo)長(chang)在(zai)0.1nm左右(you)的(de)

光(guang)子(zi)（相當(dang)於3EHz的(de)頻率(lv)和(he)12.4keV的(de)能(neng)量）。

由於外層電子躍遷放出的(de)能(neng)量是量子化的(de)，所(suo)以放出的(de)

光(guang)子(zi)的(de)波(bo)長(chang)也(ye)集(ji)中(zhong)在某些部分，形(xing)成(cheng)了X光譜(pu)中(zhong)的(de)特征(zheng)

線，此(ci)稱(cheng)為特性(xing)輻射 。

高速(su)電子轟擊靶(ba)時(shi)，與靶物(wu)質的(de)相互(hu)作(zuo)用過程是很復(fu)雜(za)

的(de)。壹(yi)些高速(su)電子進入到(dao)靶物質原(yuan)子(zi)核附(fu)近(jin)，在原(yuan)子(zi)核

的(de)強電場作用(yong)下，速度(du)的(de)量值和(he)方向都發生變(bian)化，壹部

分動(dong)能(neng)轉(zhuan)化為X光子的(de)能(neng)量(hv)輻射出去。

這種(zhong)輻射稱(cheng)為軔致輻(fu)射( bremsstrahlung)。壹些高速(su)

電子進入靶(ba)物質原(yuan)子(zi)內(nei)部，如(ru)果與(yu)某(mou)個(ge)原(yuan)子(zi)的(de)內(nei)層電子

發生強烈(lie)相互(hu)作(zuo)用，就有可能(neng)把壹部分動(dong)能(neng)傳遞給(gei)這個(ge)

電子，使它從原(yuan)子(zi)中(zhong)脫出，從而使原(yuan)子(zi)內(nei)電子層出現(xian)壹(yi)

個(ge)空(kong)位(wei)，這個(ge)空(kong)位(wei)就會(hui)被(bei)更外層的(de)電子躍遷填(tian)充(chong)，並在

躍遷過程中(zhong)發出壹個(ge)X光(guang)子，而發出的(de)X光(guang)子(zi)的(de)能(neng)量等於

兩個(ge)能(neng)級的(de)能(neng)量差，這種(zhong)輻射稱(cheng)為特征(zheng)（標識）輻射

日本(ben) toreck TRIX-150LE/SE X射線發生器(qi)高(gao)速(su)電子數(shu)擊陽(yang)極時，上(shang)述(shu)兩(liang)種(zhong)輻射，電子動(dong)能(neng)轉(zhuan)變(bian)為

X射線的(de)能(neng)量不到1%，而99%以上(shang)都轉(zhuan)變(bian)為熱能(neng)，從而使

陽極溫(wen)度升(sheng)高。因(yin)此(ci)，陽極(ji)上(shang)直接受到(dao)電子轟擊的(de)區域

，應該選用熔點高的(de)物(wu)質(zhi)。

理論(lun)和(he)實(shi)驗表明(ming)，在同樣(yang)速(su)度(du)和(he)數(shu)目(mu)的(de)電子轟擊下，原(yuan)

子(zi)序數(shu)Z不同(tong)的(de)各(ge)種(zhong)物質做(zuo)成(cheng)的(de)靶(ba)，所(suo)輻(fu)射X射線的(de)光(guang)子(zi)

總(zong)數(shu)或光(guang)子總(zong)能(neng)量是不同(tong)的(de)，光(guang)子(zi)的(de)總(zong)能(neng)量近(jin)乎與(yu)z的(de)

三(san)次(ci)方成(cheng)正(zheng)比。

因此(ci)，在兼顧(gu)熔點高、原(yuan)子(zi)序數(shu)大(da)和(he)其他些技術(shu)要(yao)求時

，鎢(wu)(Z=74)和(he)它的(de)合(he)金(jin)是的(de)材(cai)料。如(ru)果需要波(bo)長(chang)

較長(chang)的(de)X射線，則(ze)采(cai)用較低的(de)管(guan)電壓(ya)，如(ru)乳(ru)房(fang)透視(shi)，這(zhe)

時用(yong)(Z=42)作為靶則(ze)更好(hao)壹些。

由於(yu)靶的(de)發熱量很大(da)，所(suo)以陽極整(zheng)體用導(dao)熱系(xi)數(shu)較大(da)的(de)

銅做成(cheng)，受電子轟擊的(de)鎢(wu)犯或，則(ze)鑲嵌(qian)在陽(yang)極上(shang)，以便

更好地(di)導(dao)出和(he)散(san)發熱量

因此(ci)，在兼顧(gu)熔點高、原(yuan)子(zi)序數(shu)大(da)和(he)其他些技術(shu)要(yao)求時

，鎢(wu)(Z=74)和(he)它的(de)合(he)金(jin)是的(de)材(cai)料。如(ru)果需要波(bo)長(chang)

較長(chang)的(de)X射線，則(ze)采(cai)用較低的(de)管(guan)電壓(ya)，如(ru)乳(ru)房(fang)透視(shi)，這(zhe)

時用(yong)(Z=42)作為靶則(ze)更好(hao)壹些。

由於(yu)靶的(de)發熱量很大(da)，所(suo)以陽極整(zheng)體用導(dao)熱系(xi)數(shu)較大(da)的(de)

銅做成(cheng)，受電子轟擊的(de)鎢(wu)犯或，則(ze)鑲嵌(qian)在陽(yang)極上(shang)，以便

更好地(di)導(dao)出和(he)散(san)發熱量。

1、穿透作(zuo)用(yong)。X射線因(yin)其(qi)波(bo)長(chang)短(duan)，能(neng)量大(da)，照(zhao)在(zai)物(wu)質(zhi)上(shang)

時(shi)，僅壹(yi)部分被(bei)物質所(suo)吸(xi)收，大(da)部分經由原(yuan)子(zi)間(jian)隙而透

過，表現(xian)出很強的(de)穿(chuan)透能(neng)力。

X射線穿(chuan)透物(wu)質(zhi)的(de)能(neng)力與X射線光(guang)子(zi)的(de)能(neng)量有關，X射線

的(de)波(bo)長(chang)越(yue)短，光(guang)子的(de)能(neng)量越大(da)，穿(chuan)透力(li)越(yue)強。X射線的(de)

穿(chuan)透力(li)也(ye)與物(wu)質密(mi)度(du)有關，利(li)用(yong)差別吸收這種(zhong)性(xing)質可以

把密(mi)度(du)不同(tong)的(de)物(wu)質(zhi)區分開來(lai)