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簡要描述:日本 toreck X射(she)線(xian)出(chu)墨(mo)機 X-BACK / AC-1000用於(yu)混(hun)凝(ning)土(tu)內部(bu)檢(jian)查的背面(mian)墨(mo)確(que)認的(de)磁場(chang)式的變(bian)壓器(qi)利(li)用了磁場(chang)穿透(tou)物(wu)質的性質。但是,在工(gong)作原理(li)上(shang),由於(yu)容(rong)易(yi)受到(dao)金(jin)屬(shu)物(wu)質的影(ying)響(xiang),所(suo)以甲板構(gou)造(zao)物(wu)平板不(bu)能(neng)發(fa)揮性能(neng)。本(ben)公司(si)的「出(chu)墨(mo)機X-BACK」,用半(ban)導(dao)體傳感(gan)器(qi)檢(jian)測(ce)透(tou)過(guo)X射(she)線(xian)的(de)方式特定背面(mian)墨(mo)位(wei)置。■探查(zha)(劑量(liang)率(lv))模式下透過(guo)X射線(xian)的(de)峰(feng)值(zhi)。檢測到(dao)線(xian)時(shi),會通過(guo)光(guang)、音、振(zhen)動進行通(tong)知,所(suo)以即使
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更(geng)新時(shi)間:2025-12-18日本(ben) toreck X射(she)線(xian)出(chu)墨(mo)機 X-BACK / AC-1000


X射(she)線(xian)具(ju)有(you)穿(chuan)透性,但人體組(zu)織間有(you)密(mi)度(du)和(he)厚(hou)度(du)的(de)差異(yi),當X射線(xian)透(tou)過(guo)人(ren)體不(bu)同(tong)組(zu)織時(shi),被(bei)吸收的(de)程(cheng)度不(bu)同(tong),經(jing)過(guo)顯(xian)像(xiang)處理(li)後即(ji)可(ke)得(de)到(dao)不(bu)同(tong)的(de)影(ying)像 [1]。
2023年(nian),科學家(jia)拍攝(she)到(dao)了單(dan)原(yuan)子(zi)X射(she)線(xian)信(xin)號(hao)
撞擊過程中(zhong),電子突然(ran)減速,其損失(shi)的(de)動能(neng)會(hui)以光(guang)子形(xing)式放出(chu),形(xing)成X光(guang)光(guang)譜(pu)的連(lian)續部(bu)分(fen),稱(cheng)之(zhi)為(wei)軔(ren)致輻射。通過加大(da)加速電壓,電子攜(xie)帶(dai)的能(neng)量(liang)增(zeng)大(da),則(ze)有可(ke)能(neng)將(jiang)金(jin)屬(shu)原子的內層(ceng)電子撞出(chu)。於(yu)是(shi)內(nei)層(ceng)形(xing)成空(kong)穴,外層(ceng)電子躍(yue)遷(qian)回內層(ceng)填(tian)補空(kong)穴,同(tong)時(shi)放出(chu)波(bo)長在0.1nm左右(you)的光(guang)子(相(xiang)當於(yu)3EHz的(de)頻(pin)率(lv)和(he)12.4keV的(de)能(neng)量(liang))。
由(you)於(yu)外層(ceng)電子躍(yue)遷(qian)放出(chu)的(de)能(neng)量(liang)是(shi)量(liang)子(zi)化(hua)的(de),所(suo)以放出(chu)的(de)光(guang)子的(de)波(bo)長也(ye)集中在某(mou)些部(bu)分(fen),形(xing)成了X光(guang)譜(pu)中的(de)特征(zheng)線(xian),此(ci)稱(cheng)為(wei)特性輻射 。
高速電子轟擊靶(ba)時(shi),與(yu)靶物(wu)質的相(xiang)互作用過程(cheng)是(shi)很復(fu)雜(za)的。壹些高速電子進入(ru)到(dao)靶物(wu)質原子核附近,在原(yuan)子(zi)核的(de)強(qiang)電場(chang)作用下,速度(du)的(de)量(liang)值(zhi)和(he)方向都發(fa)生(sheng)變(bian)化(hua),壹(yi)部(bu)分(fen)動能(neng)轉(zhuan)化(hua)為(wei)X光(guang)子的(de)能(neng)量(liang)(hv)輻(fu)射(she)出(chu)去(qu)。
這種(zhong)輻射(she)稱(cheng)為(wei)軔(ren)致輻射( bremsstrahlung)。壹些高速電子進入(ru)靶物(wu)質原子內(nei)部(bu),如(ru)果與(yu)某個(ge)原(yuan)子的內層(ceng)電子發生(sheng)強(qiang)烈相(xiang)互作用,就有(you)可(ke)能(neng)把壹(yi)部(bu)分(fen)動能(neng)傳(chuan)遞給(gei)這個電子,使它(ta)從原子中(zhong)脫出(chu),從(cong)而使原(yuan)子內電子層(ceng)出(chu)現(xian)壹個空(kong)位,這個空(kong)位就(jiu)會(hui)被(bei)更外層(ceng)的電子躍(yue)遷(qian)填(tian)充(chong),並(bing)在躍(yue)遷(qian)過程中(zhong)發(fa)出(chu)壹(yi)個X光(guang)子,而發出(chu)的(de)X光(guang)子的(de)能(neng)量(liang)等於(yu)兩個能(neng)級(ji)的能(neng)量(liang)差(cha),這種(zhong)輻射(she)稱(cheng)為(wei)特征(zheng)(標(biao)識)輻射(she)
日(ri)本 toreck X射線(xian)出(chu)墨(mo)機 X-BACK / AC-1000
高速電子數擊陽極(ji)時(shi),上(shang)述兩種(zhong)輻射(she),電子動能(neng)轉(zhuan)變為(wei)X射線(xian)的(de)能(neng)量(liang)不(bu)到(dao)1%,而99%以上(shang)都轉變為(wei)熱能(neng),從(cong)而使陽極(ji)溫度升高。因此(ci),陽極(ji)上(shang)直接(jie)受到(dao)電子轟擊的(de)區(qu)域,應該選用熔(rong)點(dian)高的(de)物(wu)質。
理(li)論(lun)和(he)實(shi)驗(yan)表(biao)明(ming),在同(tong)樣(yang)速度(du)和(he)數(shu)目(mu)的(de)電子轟擊下,原子(zi)序數(shu)Z不(bu)同(tong)的(de)各(ge)種(zhong)物(wu)質做成(cheng)的(de)靶,所(suo)輻(fu)射(she)X射(she)線(xian)的(de)光(guang)子總(zong)數或(huo)光(guang)子總(zong)能(neng)量(liang)是(shi)不(bu)同(tong)的(de),光(guang)子的(de)總能(neng)量(liang)近乎與(yu)z的三次(ci)方成正(zheng)比。
因此(ci),在兼(jian)顧(gu)熔(rong)點(dian)高、原(yuan)子序數大(da)和(he)其他(ta)些技術要求時(shi),鎢(Z=74)和(he)它(ta)的合金(jin)是(shi)的材料。如(ru)果需(xu)要波(bo)長較長的X射(she)線(xian),則(ze)采用較低的管電壓,如(ru)乳(ru)房(fang)透(tou)視,這時(shi)用(Z=42)作為(wei)靶則(ze)更好壹些。
由於(yu)靶(ba)的(de)發熱(re)量(liang)很大(da),所(suo)以陽極(ji)整(zheng)體用導熱(re)系(xi)數較大(da)的銅做成(cheng),受電子轟擊的(de)鎢犯(fan)或,則(ze)鑲嵌在陽極(ji)上(shang),以便更好地導出(chu)和(he)散發(fa)熱(re)量(liang)
因此(ci),在兼(jian)顧(gu)熔(rong)點(dian)高、原(yuan)子序數大(da)和(he)其他(ta)些技術要求時(shi),鎢(Z=74)和(he)它(ta)的合金(jin)是(shi)的材料。如(ru)果需(xu)要波(bo)長較長的X射(she)線(xian),則(ze)采用較低的管電壓,如(ru)乳(ru)房(fang)透(tou)視,這時(shi)用(Z=42)作為(wei)靶則(ze)更好壹些。
由於(yu)靶(ba)的(de)發熱(re)量(liang)很大(da),所(suo)以陽極(ji)整(zheng)體用導熱(re)系(xi)數較大(da)的銅做成(cheng),受電子轟擊的(de)鎢犯(fan)或,則(ze)鑲嵌在陽極(ji)上(shang),以便更好地導出(chu)和(he)散發(fa)熱(re)量(liang)。
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