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您的位(wei)置(zhi):首頁(ye) - 產品(pin)中心(xin) - - toreck - toreck 便攜式(shi)X射(she)線(xian)發生(sheng)器 RIX-200MC-2
簡(jian)要(yao)描述:toreck 便攜式(shi)X射(she)線(xian)發生(sheng)器 RIX-200MC-2考(kao)慮(lv)到(dao)在(zai)現(xian)場的易用性和(he)單(dan)獨的攝(she)影作(zuo)業(ye),是小(xiao)型·輕量(liang)的(de)便攜式(shi)X射(she)線(xian)發生(sheng)裝置(zhi)。根據預(yu)設方(fang)式(shi)除了可以壹(yi)觸連續拍攝(she)之外(wai),還(hai)可(ke)以從(cong)家(jia)庭(ting)用電源(yuan)供給(gei)電源(yuan)。並且(qie),裝備(bei)自動老化(hua),保(bao)護電路,自我診(zhen)斷功(gong)能(neng)等富有可靠(kao)性。
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更(geng)新時(shi)間:2025-12-18toreck 便(bian)攜式(shi)X射(she)線(xian)發生(sheng)器 RIX-200MC-2

toreck 便攜式(shi)X射(she)線(xian)發生(sheng)器 RIX-200MC-2
X射(she)線(xian),是壹(yi)種頻(pin)率(lv),波長極(ji)短(duan)、能(neng)量(liang)很大的電(dian)磁(ci)波。
X射(she)線(xian)的頻(pin)率(lv)和能(neng)量僅次(ci)於伽(jia)馬(ma)射(she)線(xian),頻(pin)率(lv)範(fan)圍30PHz~300EHz,對(dui)應(ying)波長為0.01nm~10nm [12],能(neng)量(liang)為100eV?10MeV [13]。
X射(she)線(xian)具有穿透性,但(dan)人體(ti)組織(zhi)間有密度(du)和(he)厚(hou)度(du)的(de)差(cha)異,當(dang)X射(she)線(xian)透過(guo)人(ren)體(ti)不同(tong)組織(zhi)時,被吸收(shou)的(de)程(cheng)度(du)不(bu)同(tong),經(jing)過(guo)顯像處理後(hou)即(ji)可得(de)到(dao)不(bu)同(tong)的(de)影(ying)像 [1]。
2023年,科學(xue)家(jia)拍攝(she)到(dao)了單(dan)原(yuan)子(zi)X射(she)線(xian)信號
撞擊(ji)過(guo)程(cheng)中,電(dian)子(zi)突(tu)然(ran)減速(su),其損(sun)失(shi)的(de)動能會以光(guang)子(zi)形(xing)式(shi)放出(chu),形成X光(guang)光譜的(de)連續部分(fen),稱之(zhi)為(wei)軔致(zhi)輻射(she)。通(tong)過(guo)加大加速(su)電壓,電子(zi)攜帶(dai)的(de)能(neng)量(liang)增大,則有可能將金屬(shu)原(yuan)子(zi)的(de)內層電(dian)子(zi)撞(zhuang)出。於是內(nei)層形(xing)成(cheng)空穴,外(wai)層電(dian)子(zi)躍遷(qian)回(hui)內層填(tian)補(bu)空穴,同(tong)時放出(chu)波長在0.1nm左(zuo)右(you)的光子(zi)(相(xiang)當於3EHz的頻(pin)率(lv)和12.4keV的(de)能量)。
由於外層電(dian)子(zi)躍遷(qian)放出(chu)的能量(liang)是量子(zi)化(hua)的,所以放出(chu)的光子(zi)的(de)波長也集(ji)中(zhong)在某(mou)些部分(fen),形成(cheng)了X光譜(pu)中的(de)特(te)征(zheng)線(xian),此(ci)稱為(wei)特(te)性輻(fu)射(she) 。
高速電子(zi)轟(hong)擊(ji)靶時(shi),與靶(ba)物質的(de)相(xiang)互作(zuo)用過(guo)程(cheng)是很復雜(za)的。壹(yi)些高(gao)速電子(zi)進(jin)入(ru)到(dao)靶(ba)物(wu)質原(yuan)子(zi)核(he)附近(jin),在原(yuan)子(zi)核(he)的強電場作用下(xia),速度(du)的(de)量(liang)值(zhi)和方(fang)向(xiang)都(dou)發生(sheng)變(bian)化(hua),壹(yi)部分(fen)動能轉(zhuan)化(hua)為(wei)X光(guang)子(zi)的(de)能量(hv)輻射(she)出去。
這種輻射(she)稱為軔致(zhi)輻射(she)( bremsstrahlung)。壹(yi)些高(gao)速電子(zi)進(jin)入(ru)靶(ba)物(wu)質原(yuan)子(zi)內(nei)部,如果與(yu)某(mou)個原(yuan)子(zi)的(de)內層電(dian)子(zi)發(fa)生強烈(lie)相互作(zuo)用,就有可能把(ba)壹(yi)部分(fen)動能傳遞給(gei)這個電(dian)子(zi),使它從原(yuan)子(zi)中(zhong)脫(tuo)出(chu),從而(er)使原子(zi)內(nei)電子(zi)層出(chu)現(xian)壹(yi)個空位(wei),這個空位(wei)就會被更(geng)外(wai)層的(de)電(dian)子(zi)躍遷(qian)填(tian)充,並在(zai)躍遷(qian)過(guo)程(cheng)中發(fa)出壹(yi)個X光(guang)子(zi),而(er)發出的X光(guang)子(zi)的(de)能量等於兩(liang)個能(neng)級的能量差(cha),這種輻射(she)稱為特(te)征(zheng)(標識)輻射(she)
高速電子(zi)數(shu)擊(ji)陽(yang)極(ji)時(shi),上(shang)述(shu)兩種輻射(she),電子(zi)動能轉(zhuan)變(bian)為(wei)X射(she)線(xian)的能(neng)量不到(dao)1%,而(er)99%以上(shang)都轉變(bian)為(wei)熱能,從(cong)而使陽(yang)極(ji)溫(wen)度(du)升(sheng)高(gao)。因(yin)此(ci),陽(yang)極(ji)上(shang)直(zhi)接受(shou)到(dao)電(dian)子(zi)轟(hong)擊(ji)的區域(yu),應(ying)該選(xuan)用熔(rong)點(dian)高(gao)的(de)物(wu)質。
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