toreck 便攜式(shi)X射線(xian)發(fa)生器(qi) CP120B / CP160B

toreck 便攜式(shi)X射線(xian)發(fa)生器(qi) CP120B / CP160B 

X射線(xian)具有(you)穿(chuan)透性(xing)，但人體組織間(jian)有(you)密度(du)和(he)厚(hou)度的(de)差(cha)異(yi)，當X射線(xian)透(tou)過人體(ti)不同(tong)組織時(shi)，被(bei)吸收(shou)的(de)程(cheng)度(du)不同(tong)，經過顯像處理(li)後即可得(de)到(dao)不同(tong)的(de)影(ying)像。

2023年，科學家拍(pai)攝(she)到(dao)了單(dan)原(yuan)子X射線(xian)信(xin)號

撞(zhuang)擊過程(cheng)中(zhong)，電子突然(ran)減(jian)速，其損失的(de)動(dong)能(neng)會以(yi)光(guang)子形式(shi)放出(chu)，形成(cheng)X光(guang)光(guang)譜的(de)連(lian)續部(bu)分(fen)，稱之(zhi)為軔(ren)致(zhi)輻射。通(tong)過加大加速電壓，電子攜帶(dai)的(de)能(neng)量(liang)增大，則(ze)有(you)可能(neng)將金(jin)屬原子的(de)內(nei)層(ceng)電子撞出(chu)。於(yu)是內層(ceng)形成(cheng)空穴(xue)，外(wai)層(ceng)電子躍遷(qian)回(hui)內(nei)層(ceng)填(tian)補(bu)空穴(xue)，同(tong)時放(fang)出波(bo)長在(zai)0.1nm左右(you)的(de)光(guang)子（相當於(yu)3EHz的(de)頻(pin)率和(he)12.4keV的(de)能(neng)量(liang)）。

toreck 便攜式(shi)X射線(xian)發(fa)生器(qi) CP120B / CP160B

由(you)於外(wai)層(ceng)電子躍遷(qian)放(fang)出(chu)的(de)能(neng)量(liang)是量(liang)子化的(de)，所以(yi)放(fang)出(chu)的(de)光(guang)子的(de)波(bo)長也集(ji)中(zhong)在(zai)某(mou)些(xie)部(bu)分(fen)，形        成(cheng)了X光(guang)譜中(zhong)的(de)特(te)征線(xian)，此稱(cheng)為特(te)性輻射 。

高(gao)速電子轟擊靶時，與靶(ba)物質(zhi)的(de)相(xiang)互(hu)作用過程(cheng)是很(hen)復雜的(de)。壹些(xie)高(gao)速電子進入到(dao)靶(ba)物質(zhi)原子核附(fu)近(jin)，在(zai)原(yuan)子核的(de)強(qiang)電場作用下(xia)，速度的(de)量(liang)值和(he)方(fang)向都(dou)發(fa)生變化(hua)，壹部(bu)分(fen)動(dong)能(neng)轉化(hua)為X光(guang)子的(de)能(neng)量(liang)(hv)輻射出(chu)去。

這(zhe)種輻射稱(cheng)為軔(ren)致(zhi)輻射( bremsstrahlung)。壹些(xie)高(gao)速電子進入靶(ba)物(wu)質(zhi)原子內部(bu)，如(ru)果與(yu)某(mou)個原(yuan)子的(de)內(nei)層(ceng)電子發(fa)生強烈(lie)相(xiang)互(hu)作(zuo)用，就有(you)可能(neng)把(ba)壹部(bu)分(fen)動(dong)能(neng)傳遞(di)給這(zhe)個電子，使它(ta)從原子中(zhong)脫出(chu)，從而使(shi)原子內電子層出(chu)現(xian)壹個(ge)空位，這(zhe)個空位就會被(bei)更外(wai)層(ceng)的(de)電子躍遷(qian)填(tian)充(chong)，並在躍(yue)遷(qian)過程(cheng)中(zhong)發(fa)出壹個(ge)X光(guang)子，而發(fa)出的(de)X光(guang)子的(de)能(neng)量(liang)等於兩個能(neng)級的(de)能(neng)量(liang)差，這(zhe)種輻射稱(cheng)為特(te)征（標識）輻射

高(gao)速電子數擊陽極時(shi)，上(shang)述(shu)兩種輻射，電子動(dong)能(neng)轉變(bian)為X射線(xian)的(de)能(neng)量(liang)不到1%，而99%以(yi)上(shang)都(dou)轉變(bian)為熱(re)能(neng)，從而使(shi)陽極溫(wen)度(du)升高(gao)。因(yin)此，陽極上(shang)直(zhi)接(jie)受(shou)到(dao)電子轟擊的(de)區(qu)域，應該選(xuan)用熔(rong)點高(gao)的(de)物(wu)質(zhi)。

理論(lun)和(he)實驗(yan)表(biao)明(ming)，在同(tong)樣速度和(he)數目(mu)的(de)電子轟擊下(xia)，原(yuan)子序數Z不同(tong)的(de)各(ge)種(zhong)物質(zhi)做成(cheng)的(de)靶(ba)，所輻射X射線(xian)的(de)光(guang)子總數或光(guang)子總能(neng)量(liang)是不同(tong)的(de)，光(guang)子的(de)總(zong)能(neng)量(liang)近乎與(yu)z的(de)三次方(fang)成正比(bi)。